Comchip Technology - CDBJSC101200-G

KEY Part #: K6430876

CDBJSC101200-G Prezos (USD) [13054unidades de stock]

  • 1 pcs$3.15720

Número de peza:
CDBJSC101200-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrición detallada:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC101200-G Atributos do produto

Número de peza : CDBJSC101200-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrición : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) : 10A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 10A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F : 780pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220-2
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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