RGL41MHE3_A/I Prezos (USD) [607281unidades de stock]
- 1 pcs$0.06091
- Número de peza:
- RGL41MHE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL41MHE3_A/I electronic components. RGL41MHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL41MHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGL41MHE3_A/I Atributos do produto
Número de peza :
RGL41MHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1000V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
500ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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