SPU01N60C3BKMA1 Prezos (USD) [76032unidades de stock]
- 1 pcs$0.51426
- Número de peza:
- SPU01N60C3BKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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SPU01N60C3BKMA1 Atributos do produto
Número de peza :
SPU01N60C3BKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
800mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
100pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
11W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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