Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1000V
Actual - Media rectificada (Io) :
4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.15V @ 4A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
1.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C