Número de peza :
1N4150_T50A
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 200mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
6ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100nA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-35
Temperatura de funcionamento: unión :
175°C (Max)