ES2GHE3_A/H Prezos (USD) [326142unidades de stock]
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- Número de peza:
- ES2GHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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ES2GHE3_A/H Atributos do produto
Número de peza :
ES2GHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
300V
Actual - Media rectificada (Io) :
2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 2A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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