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- Número de peza:
- IRF7322D1TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF7322D1TR Atributos do produto
Número de peza :
IRF7322D1TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
780pF @ 15V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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