Vishay Semiconductor Diodes Division - GSIB660N-M3/45

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GSIB660N-M3/45 Prezos (USD) [78861unidades de stock]

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Número de peza:
GSIB660N-M3/45
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
BRIDGE RECT 1P 600V 6A GSIB-5S. Bridge Rectifiers 6A,600V,SINGLE INLINE BRIDGE
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSIB660N-M3/45 Atributos do produto

Número de peza : GSIB660N-M3/45
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : BRIDGE RECT 1P 600V 6A GSIB-5S
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Single Phase
Tecnoloxía : Standard
Tensión - Pico inverso (máximo) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 950mV @ 3A
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : 4-SIP, GSIB-5S
Paquete de dispositivos de provedores : GSIB-5S

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