Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. IS43DR86400E-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBLI

KEY Part #: K936605

IS43DR86400E-3DBLI Prezos (USD) [14583unidades de stock]

  • 1 pcs$3.73714
Número de peza:
IS43DR86400E-3DBLI
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Interface: gravación e reprodución de voz, Memoria - Baterías, Interface - Terminadores de sinal, PMIC - Xestión de enerxía - Especializado, Memoria: Proms de configuración para FPGAs, PMIC - Xestión térmica, Interface - Controladores, receptores, transceptor and Memoria ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI electronic components. IS43DR86400E-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400E-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBLI Atributos do produto

Número de peza : IS43DR86400E-3DBLI
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 512Mb (64M x 8)
Frecuencia do reloxo : 333MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 450ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-TWBGA (8x10.5)

Últimas novas

Silicom MinnowBoard Turbot
Tamén pode estar interesado
  • FM25V02A-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

  • MR25H10CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR45V200BRAZAARL

    Rohm Semiconductor

    FERAM / 2MBIT 256KB X 8 / SPI. F-RAM FeRAM/2M 256K x 8 DIP8

  • AT28HC256E-12SU-202

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC.

  • AT28HC256E-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR

Pezas quentes