Número de peza :
2SK3128(Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
66nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2300pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P(N)
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3