Número de peza :
MBR200150CTR
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Configuración do diodo :
1 Pair Common Anode
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
150V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
100A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
880mV @ 100A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
3mA @ 150V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Twin Tower
Paquete de dispositivos de provedores :
Twin Tower