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- Número de peza:
- ZXMNS3BM832TA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Módulos de controlador de enerxía and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA electronic components. ZXMNS3BM832TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMNS3BM832TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMNS3BM832TA Atributos do produto
Número de peza :
ZXMNS3BM832TA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
314pF @ 15V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-MLP, MicroFET (3x2)
Paquete / Estuche :
8-VDFN Exposed Pad
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