Infineon Technologies - IRF7820PBF

KEY Part #: K6404260

[8727unidades de stock]


    Número de peza:
    IRF7820PBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7820PBF Atributos do produto

    Número de peza : IRF7820PBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
    Serie : HEXFET®
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.7A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 2.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 44nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1750pF @ 100V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
    Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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