NGTB40N120IHRWG Prezos (USD) [17984unidades de stock]
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- 500 pcs$1.43643
- 1,000 pcs$1.21144
- Número de peza:
- NGTB40N120IHRWG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 80A 384W TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: TRIAC, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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NGTB40N120IHRWG Atributos do produto
Número de peza :
NGTB40N120IHRWG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
IGBT 1200V 80A 384W TO247
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
80A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
120A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.55V @ 15V, 40A
Potencia: máx :
384W
Enerxía de conmutación :
950µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
225nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
-/230ns
Condición da proba :
600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
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