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- Número de peza:
- STB25NM60N-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STB25NM60N-1 electronic components. STB25NM60N-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB25NM60N-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB25NM60N-1 Atributos do produto
Número de peza :
STB25NM60N-1
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Serie :
MDmesh™ II
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
84nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2400pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
160W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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