S3JHE3_A/I Prezos (USD) [495660unidades de stock]
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- 3,500 pcs$0.06823
- Número de peza:
- S3JHE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3A 600V 100A@8.3ms Single Die Auto
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S3JHE3_A/I electronic components. S3JHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3JHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S3JHE3_A/I Atributos do produto
Número de peza :
S3JHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.15V @ 2.5A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
2.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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