Descrición :
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
830pF @ 30V
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Die