Infineon Technologies - IDH10G120C5XKSA1

KEY Part #: K6442453

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Número de peza:
IDH10G120C5XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IDH10G120C5XKSA1 electronic components. IDH10G120C5XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDH10G120C5XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH10G120C5XKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IDH10G120C5XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
Serie : CoolSiC™
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) : 10A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.8V @ 10A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 62µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F : 525pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-2-1
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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