HN1D01FE(TE85L,F) Prezos (USD) [1113349unidades de stock]
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- Número de peza:
- HN1D01FE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: TRIAC and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FE(TE85L,F) electronic components. HN1D01FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1D01FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN1D01FE(TE85L,F) Atributos do produto
Número de peza :
HN1D01FE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
2 Pair Common Anode
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
80V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
100mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.2V @ 100mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
1.6ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
500nA @ 80V
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos de provedores :
ES6
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