Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ133-GS18

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Número de peza:
BAQ133-GS18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ133-GS18 Atributos do produto

Número de peza : BAQ133-GS18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 30V
Actual - Media rectificada (Io) : 200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 100mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1nA @ 15V
Capacitancia @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOD-80 Variant
Paquete de dispositivos de provedores : SOD-80 QuadroMELF
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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