Número de peza :
RFN10BM3STL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
350V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.5V @ 10A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 350V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)