APT25GN120B2DQ2G Prezos (USD) [9465unidades de stock]
- 1 pcs$4.37589
- 56 pcs$4.35412
- Número de peza:
- APT25GN120B2DQ2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 67A 272W TMAX.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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APT25GN120B2DQ2G Atributos do produto
Número de peza :
APT25GN120B2DQ2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
NPT, Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
67A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
75A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 25A
Potencia: máx :
272W
Enerxía de conmutación :
2.15µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
155nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
22ns/280ns
Condición da proba :
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivos de provedores :
-
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