UGB8DT-E3/45 Prezos (USD) [70315unidades de stock]
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- 1,000 pcs$0.23471
- Número de peza:
- UGB8DT-E3/45
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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UGB8DT-E3/45 Atributos do produto
Número de peza :
UGB8DT-E3/45
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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- CD214B-F3150
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- DSR01S30SC(TPL3)
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- UF8CT-E3/4W
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- 1N4446_T50R
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- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
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- BAS16WF