DMT6007LFGQ-13 Prezos (USD) [183252unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMT6007LFGQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Finalidade especial and Diodos - RF ...
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DMT6007LFGQ-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMT6007LFGQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
15A (Ta), 80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
41.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2090pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerDI3333-8
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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