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- Número de peza:
- IRF6709S2TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6709S2TRPBF electronic components. IRF6709S2TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6709S2TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6709S2TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF6709S2TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Ta), 39A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1010pF @ 13V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET S1
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric S1
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