FDP023N08B-F102 Prezos (USD) [25834unidades de stock]
- 1 pcs$1.59533
- Número de peza:
- FDP023N08B-F102
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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FDP023N08B-F102 Atributos do produto
Número de peza :
FDP023N08B-F102
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.35 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
13765pF @ 37.5V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
245W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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