Taiwan Semiconductor Corporation - S1KLHMQG

KEY Part #: K6437462

S1KLHMQG Prezos (USD) [2321207unidades de stock]

  • 1 pcs$0.01593

Número de peza:
S1KLHMQG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHMQG electronic components. S1KLHMQG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1KLHMQG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1KLHMQG Atributos do produto

Número de peza : S1KLHMQG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 800V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.8µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores : Sub SMA
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

Tamén pode estar interesado
  • MSC010SDA070K

    Microsemi Corporation

    DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD

  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3