Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34BHE3/83

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Número de peza:
RGL34BHE3/83
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34BHE3/83 Atributos do produto

Número de peza : RGL34BHE3/83
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 500mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 500mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-213AA (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores : DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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