Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4EWH02FN-M3

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Número de peza:
VS-4EWH02FN-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK. Rectifiers 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4EWH02FN-M3 Atributos do produto

Número de peza : VS-4EWH02FN-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 950mV @ 4A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 20ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 3µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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