ON Semiconductor - HGTP7N60B3D

KEY Part #: K6424331

[9346unidades de stock]


    Número de peza:
    HGTP7N60B3D
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    IGBT 600V 14A 60W TO220AB.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HGTP7N60B3D Atributos do produto

    Número de peza : HGTP7N60B3D
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : IGBT 600V 14A 60W TO220AB
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo IGBT : -
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 600V
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 14A
    Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : 56A
    Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 7A
    Potencia: máx : 60W
    Enerxía de conmutación : 160µJ (on), 120µJ (off)
    Tipo de entrada : Standard
    Carga de porta : 23nC
    Td (activado / apagado) a 25 ° C : 26ns/130ns
    Condición da proba : 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 37ns
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : TO-220-3
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-220-3