[1988unidades de stock]
- Número de peza:
- RP1L055SNTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RP1L055SNTR electronic components. RP1L055SNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RP1L055SNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RP1L055SNTR Atributos do produto
Número de peza :
RP1L055SNTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
730pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
MPT6
Paquete / Estuche :
6-SMD, Flat Leads
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