DMNH6011LK3-13 Prezos (USD) [138062unidades de stock]
- 1 pcs$0.26790
- Número de peza:
- DMNH6011LK3-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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DMNH6011LK3-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMNH6011LK3-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
49.1nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3077pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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