Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3C-M3/57T

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Número de peza:
ES3C-M3/57T
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB. Rectifiers 3A, 150V, 20NS, F.EFF.SMDIODE
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Unión programable, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3C-M3/57T Atributos do produto

Número de peza : ES3C-M3/57T
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 150V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 900mV @ 3A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 150V
Capacitancia @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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