FESB16JT-E3/45 Prezos (USD) [51104unidades de stock]
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- Número de peza:
- FESB16JT-E3/45
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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FESB16JT-E3/45 Atributos do produto
Número de peza :
FESB16JT-E3/45
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
16A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.5V @ 16A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
145pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C
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