Número de peza :
S1GB R5G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
400V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 1A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C