Toshiba Semiconductor and Storage - TPH5R906NH,L1Q

KEY Part #: K6409577

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Número de peza:
TPH5R906NH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unión programable and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH5R906NH,L1Q Atributos do produto

Número de peza : TPH5R906NH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
Serie : U-MOSVIII-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 28A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3100pF @ 30V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

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