Microsemi Corporation - JANTXV1N5807US

KEY Part #: K6444312

[2493unidades de stock]


    Número de peza:
    JANTXV1N5807US
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 50V 3A D5B. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 50V ULTRAFAST RECT- SQ END CAPS
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N5807US Atributos do produto

    Número de peza : JANTXV1N5807US
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrición : DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 50V
    Actual - Media rectificada (Io) : 3A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 875mV @ 4A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 30ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 50V
    Capacitancia @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : SQ-MELF, B
    Paquete de dispositivos de provedores : D-5B
    Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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