DD1200S45KL3B5NOSA1 Prezos (USD) [51unidades de stock]
- 1 pcs$700.76735
- Número de peza:
- DD1200S45KL3B5NOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE MODULE 1200V 1200A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
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DD1200S45KL3B5NOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
DD1200S45KL3B5NOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE MODULE 1200V 1200A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
2 Independent
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
4500V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
-
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
3.1V @ 1200A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1500A @ 2800V
Temperatura de funcionamento: unión :
-50°C ~ 125°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
A-IHV130-4
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