GeneSiC Semiconductor - 1N8035-GA

KEY Part #: K6444970

1N8035-GA Prezos (USD) [2267unidades de stock]

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Número de peza:
1N8035-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8035-GA Atributos do produto

Número de peza : 1N8035-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 650V
Actual - Media rectificada (Io) : 14.6A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.5V @ 15A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-276AA
Paquete de dispositivos de provedores : TO-276
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 250°C
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