Rohm Semiconductor - RF081LAM2STR

KEY Part #: K6458417

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Número de peza:
RF081LAM2STR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM. Rectifiers 200V Vr 1A Io Fast Recovery Diode
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RF081LAM2STR Atributos do produto

Número de peza : RF081LAM2STR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 1.1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 980mV @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOD-128
Paquete de dispositivos de provedores : PMDTM
Temperatura de funcionamento: unión : 150°C (Max)

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