TK10J80E,S1E Prezos (USD) [37612unidades de stock]
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- 25 pcs$1.20523
- Número de peza:
- TK10J80E,S1E
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V TO-3PN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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TK10J80E,S1E Atributos do produto
Número de peza :
TK10J80E,S1E
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Serie :
π-MOSVIII
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P(N)
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
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