[9620unidades de stock]
- Número de peza:
- IRG8CH106K10F
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 110A DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IRG8CH106K10F Atributos do produto
Número de peza :
IRG8CH106K10F
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 1200V 110A DIE
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
-
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
-
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 110A
Potencia: máx :
-
Enerxía de conmutación :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
700nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
80ns/380ns
Condición da proba :
600V, 110A, 1 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
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