Toshiba Semiconductor and Storage - CUHS20S30,H3F

KEY Part #: K6431467

CUHS20S30,H3F Prezos (USD) [736098unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05025

Número de peza:
CUHS20S30,H3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF. Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 2A 30V 390pF
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CUHS20S30,H3F Atributos do produto

Número de peza : CUHS20S30,H3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : SCHOTTKY BARRIER DIODE LOW VF
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 30V
Actual - Media rectificada (Io) : 2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 410mV @ 2A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 500µA @ 30V
Capacitancia @ Vr, F : 390pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 2-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos de provedores : US2H
Temperatura de funcionamento: unión : 150°C (Max)

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