Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Produtos semicondutores discretos
  4. Diodos - Rectificadores - Solteiros
  5. JAN1N6639US

Microsemi Corporation - JAN1N6639US

KEY Part #: K6427115

JAN1N6639US Prezos (USD) [7693unidades de stock]

  • 1 pcs$5.38349
  • 100 pcs$5.35671
Número de peza:
JAN1N6639US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6639US electronic components. JAN1N6639US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6639US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6639US Atributos do produto

Número de peza : JAN1N6639US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/609
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 75V
Actual - Media rectificada (Io) : 300mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.2V @ 300mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SQ-MELF, B
Paquete de dispositivos de provedores : D-5B
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

Últimas novas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Tamén pode estar interesado
  • V35PWM15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PWM10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 45V TMBS eSMP Trench MOS

  • V20PW10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PW12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

Pezas quentes