MG12150D-BA1MM Prezos (USD) [817unidades de stock]
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- 25 pcs$52.03775
- 100 pcs$49.12659
- Número de peza:
- MG12150D-BA1MM
- Fabricante:
- Littelfuse Inc.
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 210A 1100W PKG D.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
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MG12150D-BA1MM Atributos do produto
Número de peza :
MG12150D-BA1MM
Fabricante :
Littelfuse Inc.
Descrición :
IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
210A
Potencia: máx :
1100W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 150A (Typ)
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
D3
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