ON Semiconductor - NVMFD5852NLT1G

KEY Part #: K6522876

NVMFD5852NLT1G Prezos (USD) [90877unidades de stock]

  • 1 pcs$0.43026
  • 1,500 pcs$0.39112

Número de peza:
NVMFD5852NLT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Zener - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5852NLT1G electronic components. NVMFD5852NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5852NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5852NLT1G Atributos do produto

Número de peza : NVMFD5852NLT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1800pF @ 25V
Potencia: máx : 3.2W
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos de provedores : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)