IXTT3N200P3HV Prezos (USD) [2527unidades de stock]
- 1 pcs$18.85631
- 10 pcs$17.44232
- 100 pcs$14.89648
- Número de peza:
- IXTT3N200P3HV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IXTT3N200P3HV Atributos do produto
Número de peza :
IXTT3N200P3HV
Fabricante :
IXYS
Descrición :
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
2000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1860pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
520W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-268
Paquete / Estuche :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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