Número de peza :
CS8312YDR8
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Estado da parte :
Obsolete
Configuración conducida :
Low-Side
Tipo de porta :
IGBT, N-Channel MOSFET
Tensión - subministración :
7V ~ 10V
Tensión lóxica - VIL, VIH :
-
Actual - Saída máxima (fonte, afundimento) :
-
Tipo de entrada :
Non-Inverting
Tensión lateral elevada: máx. :
-
Tempo de subida / caída (típico) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC