ON Semiconductor - MJD112T4G

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Número de peza:
MJD112T4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MJD112T4G Atributos do produto

Número de peza : MJD112T4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de transistor : NPN - Darlington
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 2A
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 100V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 3V @ 40mA, 4A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 20µA
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 1000 @ 2A, 3V
Potencia: máx : 20W
Frecuencia - Transición : 25MHz
Temperatura de operación : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : DPAK

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