Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34B-E3/98

KEY Part #: K6457868

RGL34B-E3/98 Prezos (USD) [730465unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05343
  • 5,000 pcs$0.05317

Número de peza:
RGL34B-E3/98
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL34B-E3/98 electronic components. RGL34B-E3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL34B-E3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34B-E3/98 Atributos do produto

Número de peza : RGL34B-E3/98
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 500mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 500mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-213AA (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores : DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

Tamén pode estar interesado
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns